nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置THERMOCERA
簡要描述:nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置THERMOCERA薄膜實驗裝置緊湊型系列,nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置,nanoCVD-8G,nanoCVD-8N,石墨烯/碳納米管合成儀,nanoPVD-S10A磁控濺射裝置,nanoPVD-T15A有機(jī)膜/金屬膜沉積裝置,nanoETCH Model.ETCH5A軟蝕刻設(shè)備,nanoEM高真空EM鍍膜設(shè)備
- 產(chǎn)品型號:
- 廠商性質(zhì):代理商
- 更新時間:2023-08-16
- 訪 問 量:769
nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置THERMOCERA
nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置THERMOCERA
薄膜實驗裝置緊湊型系列,nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置,nanoCVD-8G,nanoCVD-8N,石墨烯/碳納米管合成儀,nanoPVD-S10A磁控濺射裝置,nanoPVD-T15A有機(jī)膜/金屬膜沉積裝置,nanoETCH Model.ETCH5A軟蝕刻設(shè)備,nanoEM高真空EM鍍膜設(shè)備
產(chǎn)品介紹
nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置
每批只需30分鐘,即可輕松合成高質(zhì)量石墨烯和碳納米管
CVD法(化學(xué)氣相沉積)
CVD法是一種穩(wěn)定的技術(shù),已經(jīng)被建立用于多種用途,并且是考慮未來大規(guī)模合成石墨烯和CNT時最現(xiàn)實的方法。我們就在這里。制造商 Moorfield 與英國國家研究院合作多次驗證了該沉積測試設(shè)備。在研究機(jī)構(gòu)的合作下,已經(jīng)證實可以利用拉曼光譜、SEM、AFM等分析數(shù)據(jù)來創(chuàng)建高質(zhì)量的石墨烯和碳納米管樣品。
冷壁CVD
采用冷壁式/高溫樣品加熱臺(熱板),反應(yīng)速度快,重現(xiàn)性好。設(shè)備緊湊,處理時間短,可操作性優(yōu)良,可創(chuàng)建并保存30種合成配方。除了標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)配置外,我們還可以根據(jù)要求定制設(shè)備配置。納米CVD系統(tǒng)雖然很小,但卻是一個具有無限可能性的實驗裝置,為基礎(chǔ)研究和開發(fā)領(lǐng)域做出了貢獻(xiàn)。
特征
石墨烯/碳納米管(SWNT)沉積實驗可以輕松進(jìn)行,無需使用大型設(shè)備。
每批只需30分鐘!
冷壁法高效高精度過程控制
快速升溫:RT→1100℃/約3分鐘
高性能機(jī)器,具有高精度溫度流量控制和出色的再現(xiàn)性
操作簡單!通過5英寸觸摸屏進(jìn)行操作和配方管理
最多可以創(chuàng)建和保存 30 個配方和 30 個步驟的合成程序。
標(biāo)配專用軟件,CSV 文件輸出 PC 上的數(shù)據(jù)記錄
USB線連接,PC端創(chuàng)建的菜譜可上傳至設(shè)備
nanoPVD-S10A磁控濺射裝置
高性能RF/DC磁控濺射設(shè)備
連續(xù)多層鍍膜、雙源同時鍍膜、APC自動壓力控制
極限壓力:5 x10-5 帕斯卡
多達(dá) 3 個源 Φ2" 磁控管陰極
自動多層連續(xù)薄膜,可同時薄膜沉積
直觀操作 多功能軟件“Intellidep"
用于連接 Windows PC 的遠(yuǎn)程軟件“IntelliLink"
高性能RF/DC磁控管型濺射設(shè)備。雖然它很小,但它是一種滿足追求高性能而又不影響薄膜質(zhì)量(例如一般金屬薄膜、絕緣體和化合物)的用戶的設(shè)備。支持多達(dá) 3 源陰極、多層連續(xù)薄膜和同步沉積(*僅限 RF 和 DC 組合)。有許多選項,例如加熱器、旋轉(zhuǎn)/升降、磁性材料陰極以及使用電容壓力計的高精度壓力控制。
nanoPVD-T15A有機(jī)膜/金屬膜沉積裝置
緊湊、高性能、
高性能有機(jī)膜和金屬膜沉積設(shè)備
Φ2英寸?Φ4英寸板
緊湊尺寸:804(W) x 560(D) x 600(H)mm
是一款高性能的“有機(jī)膜/金屬膜氣相沉積"設(shè)備。采用Moorfield的有機(jī)沉積源“LTE1"和金屬材料沉積源“TE1-Box屏蔽型",具有優(yōu)異的溫度響應(yīng)性、穩(wěn)定性和再現(xiàn)性。適用于OLED、OPV、OTFT等有機(jī)薄膜沉積以及金屬材料沉積。一種多功能設(shè)備,最多可配備2個金屬氣相沉積源和最多4個有機(jī)氣相沉積源,還可以進(jìn)行自動連續(xù)多層沉積和同時沉積。