武藏野電子Model 110雙噴射自動電解拋光機
簡要描述:武藏野電子Model 110雙噴射自動電解拋光機MUSASHINO雙噴射自動電解拋光機Model 110,Model 120,超聲波圓盤切割機Model 170,超精密凹坑環(huán)磨床Model 200,樣品拋光夾具Model 160,用于FIB后處理的Nanomill設(shè)備Model1040,TEM 離子銑削裝置Model 1051,SEM 離子銑削裝置Model 1061
- 產(chǎn)品型號:
- 廠商性質(zhì):代理商
- 更新時間:2024-01-02
- 訪 問 量:703
武藏野電子Model 110雙噴射自動電解拋光機MUSASHINO
武藏野電子Model 110雙噴射自動電解拋光機MUSASHINO
雙噴射自動電解拋光機Model 110,Model 120,超聲波圓盤切割機Model 170,超精密凹坑環(huán)磨床Model 200,樣品拋光夾具Model 160,用于FIB后處理的Nanomill設(shè)備Model1040,TEM 離子銑削裝置Model 1051,SEM 離子銑削裝置Model 1061,等離子清潔器Model1020
產(chǎn)品介紹
Model 110 / Model 120
110 型采用雙噴射裝置同時拋光樣品的兩面。
在幾分鐘內(nèi)實現(xiàn) TEM 電子顯微鏡的樣品制備。
由110型(電解拋光裝置)和120型(自動電源控制裝置)組成。
特征
雙噴射方式可同時拋光樣品的兩面
自動化操作
幾分鐘內(nèi)即可完成高質(zhì)量樣品制備
高精度拋光完成檢測系統(tǒng),防止拋光不足和拋光過度
耐腐蝕材料使用防止腐蝕
樣品架與電子顯微鏡兼容,拆卸時防止變形
也可特殊定制所需尺寸的樣品架
也可使用特殊容器在低溫下制備樣品- 溫度環(huán)境 可能
電解液流量、拋光電壓、末端檢測靈敏度、雙噴嘴和樣品架位置均可輕松調(diào)節(jié)。
超聲波圓盤切割機Model 170
可以從硬而脆的樣品中切出用于透射電子顯微鏡 (TEM) 的樣品,而不會造成損壞。
從厚度約10mm的樣品上切割出圓盤狀樣品,
從一定尺寸的塊上切割出直徑3mm以下的圓柱形樣品,以及切割出
制作XTEM樣品時使用的矩形晶片。 你可以。
特征
能夠以最小的損傷切割樣品
能夠切割薄樣品(>10 µm)到厚樣品(<1 cm)
能夠切割盤狀、棒狀或矩形樣品
自動終止功能
精確定位控制
顯微鏡附件標準設(shè)備
超精密凹坑環(huán)磨床Model 200
這是一種機械拋光裝置,用于制備透射電子顯微鏡 (TEM) 的薄樣品。
非常適合使用離子銑削設(shè)備作為樣品制備的最后階段。
特征
適合離子銑削的預(yù)拋光
自動控制研磨速率
出色的最終拋光精度(±1μm)
通過內(nèi)置微處理器自動控制拋光工作
40倍顯微鏡用于樣品定位和樣品制備
可以觀察
種類繁多拋光工具可對難加工的材料進行拋光
可拋光多種凹痕和平面
正在加工的樣品厚度實時顯示在液晶面板上
達到所需的最終樣品厚度后自動進行內(nèi)置停止裝置機構(gòu)
可對各種材料進行拋光,并有多種拋光工具(輪)可供處理大型樣品(<5mm)。
內(nèi)置研磨速率自動控制功能,根據(jù)待拋光材料的硬度自動降低研磨銷,因此不會損壞樣品。
也可以用定時器進行拋光。此時,砂輪的轉(zhuǎn)速和磨銷的下降速度根據(jù)設(shè)定的時間自動調(diào)節(jié)。
拋光開始和結(jié)束時,拋光輪自動升高250μm,防止損壞樣品。
通過使用凹坑磨床將樣品細化到一定程度,可以縮短離子銑削所需的時間。
樣品拋光夾具Model 160
使用標尺可以精確控制樣品的拋光厚度。
這是安裝在超精密凹坑磨床 Model 200 上的拋光夾具。
特征
非常適合樣品制備的預(yù)處理
Dimler拋光時間大大縮短
能夠產(chǎn)生均勻的薄片
控制樣品厚度
減少拋光造成的樣品損壞
用于FIB后處理的Nanomill設(shè)備Model1040
這是一款針對FIB(聚焦離子束)制備的TEM樣品的后處理銑削設(shè)備,它使用超低能量的聚焦離子束
來產(chǎn)生適合透射電子顯微鏡(TEM)觀察的最高質(zhì)量的樣品。
特征
超低能量惰性氣體離子源
具有掃描功能的濃縮離子束
無需再沉積即可去除受損層
非常適合后聚焦離子束 (FIB) 處理
使用傳統(tǒng)方法制備樣品 - 室溫至低溫
納米銑削
快速樣品高通量應(yīng)用的交換
計算機控制、可編程、易于使用的設(shè)備
無污染的干式真空系統(tǒng)
當(dāng)使用FIB制備樣品時,表面層常常變成非晶態(tài)或注入鎵,這種受損層的尺寸可以是10 nm至30 nm。NanoMill 是去除此類受損層的理想設(shè)備。使用 SED(二次電子探測器)獲取樣品的圖像,并且可以將離子研磨到僅所需的位置,從而防止再沉積。
TEM 離子銑削裝置Model 1051
這是一款用于創(chuàng)建高質(zhì)量 TEM 樣品的離子銑削設(shè)備。
可以對任何樣品和任何應(yīng)用進行離子銑削。
特征
1051 型 TEM 銑床是一種離子銑削設(shè)備,用于生產(chǎn)用于透射電子顯微鏡 (TEM) 的無損傷、高質(zhì)量樣品。
獲得的 TrueFocus 離子源可在較寬的加速電壓范圍內(nèi)保持較窄的光束直徑。
離子束加速電壓可在100eV至10keV范圍內(nèi)設(shè)定,銑削角度可在-15°至+10°范圍內(nèi)任意設(shè)定,因此可用于從高速銑削到高速銑削的所有工藝。樣品到最終拋光。
配備裝載鎖定機構(gòu)(預(yù)備排氣室),可以快速裝載和卸載樣品。
提供多種選件,包括液氮冷卻系統(tǒng)、銑削位置微調(diào)支架和真空密封移動膠囊。
SEM 離子銑削裝置Model 1061
是一款用于創(chuàng)建高質(zhì)量 SEM 樣品的離子銑削設(shè)備。可以對任何樣品和任何應(yīng)用進行離子銑削。
特征
1061 型 SEM 銑削機是一種離子銑削設(shè)備,用于生產(chǎn)無損傷、高質(zhì)量的掃描電子顯微鏡 (SEM) 樣品。
配備兩個離子源,可以從兩個方向進行高速銑削。
配備自動樣品位置檢測功能,可針對任意高度的樣品自動調(diào)整載物臺位置。
可選的橫截面裝載站可以精確對準銑削位置和屏蔽罩,以產(chǎn)生高質(zhì)量的橫截面。
另一個特點是,可以通過調(diào)整焦點來調(diào)整光束直徑,從而為任何樣品和任何應(yīng)用提供的離子銑削。
等離子清潔器Model1020
該等離子清潔器非常適合去除有機污染物。
使用低能量反應(yīng)等離子體,可以僅去除有機物質(zhì),而不改變樣品的成分或性質(zhì)。
特征
清除TEM樣品和樣品架上的污垢。
顯著提高TEM分析和分辨率。
幾乎沒有因清洗而導(dǎo)致試件的溫度上升或顯微組織的變化。
可使用Philips、Hitachi High Technologies、JEOL、Topcon等公司的側(cè)入式TEM樣品架。
采用高頻(HF)無電極等離子體發(fā)生。
與多種加工氣體兼容。
防油真空系統(tǒng)可對測試樣品進行超清潔。
減少對使用溶劑的清潔過程的依賴。
1020 型對于清潔 TEM 樣品至關(guān)重要。通過采用低能高頻(HF)等離子體,我們可以有效去除材料研究樣本中非晶化和碳氫化合物污染的負面影響,并在不改變其元素組成或結(jié)構(gòu)特征的情況下清潔其表面。強大的清洗能力和無油真空系統(tǒng)提供的標本清洗效果。1020 型可與所有市售 TEM 側(cè)入式樣品架一起使用。