錯(cuò)位缺陷可視化裝置EnVision SEMILAB

錯(cuò)位缺陷可視化裝置EnVision SEMILAB

光致發(fā)光WT-2000PL,錯(cuò)位缺陷可視化裝置EnVision,非接觸式遷移率測(cè)量LEI-1610系列,FAa lei-1610E100AM,LEI-1610E100R,LEI-1616AM,LEI-1618AM,LEI-1616RP,LEI-1618RP,非接觸式薄層電阻渦流LEI-1510系列,FA,lei-1510EB-RP,LEI-1510EC-RP,LEI-1510EB-RS,LEI-1510EC-RS,

LEI-1510EB,LEI-1510EC,高電阻率測(cè)量?jī)xCOREMA-2000,非接觸式遷移率測(cè)量LE1-1610系列

FAa lei -1610E100AM,LEI-1610E100R,LEI-1616AM,LEI-1618AM,LEI-1616RP,LEI-1618RP,非接觸式CV測(cè)量裝置Cn_CV 350 CV/IV,非接觸式CV測(cè)量裝置Cn-CV 330/230 CV/IV

產(chǎn)品介紹

WT-2000 系列能夠進(jìn)行高速測(cè)量（20 晶圓/小時(shí) - 2500 點(diǎn)），還支持高分辨率映射測(cè)量。

提供 266nm、355nm、405nm、532nm、785nm 和 980nm 的多種激光選項(xiàng)

晶體缺陷可視化裝置 EnVision 是一種非破壞性、非接觸式半導(dǎo)體檢測(cè)系統(tǒng)，可以在 15 nm 級(jí)別可視化位錯(cuò)缺陷。錯(cuò)位缺陷的可視化使得過(guò)去依賴于工藝工程師的經(jīng)驗(yàn)和直覺(jué)的工藝工作的定量?jī)?yōu)化成為可能。

對(duì)于2英寸到8英寸的硅晶圓和化合物半導(dǎo)體（GaAs、GaN、InP 等）外延晶圓，可以對(duì)載流子遷移率、薄層電阻和薄層電荷密度進(jìn)行非接觸和非破壞性測(cè)量。

COREMA-2000 能夠?qū)韬突衔锇雽?dǎo)體進(jìn)行非破壞性和非接觸式電阻率測(cè)量。我們可以處理過(guò)去難以處理的超高電阻基板，例如半絕緣材料。

Cn-CV 350 CV/IV 系統(tǒng)基于獲得的Corona-Kelvin 方法提供 Semilab SDI 高級(jí) CV/IV 測(cè)量，用于介電和界面特性的非接觸成像。這個(gè)旗艦平臺(tái)能夠從雙 FOUP 裝載端口裝載站自動(dòng)處理晶圓，并且能夠在苛刻的大批量生產(chǎn)環(huán)境中支持在線測(cè)量。 

Cn-CV 330/230 CV/IV 系統(tǒng)基于獲得的Corona-Kelvin 方法提供 Semilab SDI 高級(jí)CV/IV 測(cè)量，用于監(jiān)測(cè)晶圓上的介電和界面特性的非接觸式成像。