MiniLab系列柔性薄膜實(shí)驗(yàn)設(shè)備THERMOCERA
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- 產(chǎn)品型號(hào):
- 廠商性質(zhì):代理商
- 更新時(shí)間:2023-08-16
- 訪 問(wèn) 量:644
MiniLab系列柔性薄膜實(shí)驗(yàn)設(shè)備THERMOCERA
MiniLab系列柔性薄膜實(shí)驗(yàn)設(shè)備THERMOCERA
薄膜實(shí)驗(yàn)設(shè)備,MiniLab系列柔性薄膜實(shí)驗(yàn)設(shè)備,MiniLab-026,MiniLab-060,MiniLab-080,MiniLab-090,MiniLab-125,MiniLab-026-GB,MiniLab-090-GB,ML-GB手套箱薄膜實(shí)驗(yàn)設(shè)備,nanoCVD-WGP晶圓級(jí)石墨烯合成裝置,晶圓級(jí)石墨烯合成器,納米爐熱CVD設(shè)備
產(chǎn)品介紹
MiniLab系列柔性薄膜實(shí)驗(yàn)設(shè)備
由于是模塊內(nèi)置型,因此可以根據(jù)所需的薄膜類(lèi)型和工藝組裝專用機(jī)器。
一種靈活的小型實(shí)驗(yàn)裝置,可用于多種目的。
MiniLab研發(fā)實(shí)驗(yàn)設(shè)備系列結(jié)合了各種選項(xiàng)中最少的必要和的模塊來(lái)滿足您的需求。我可以??梢砸约床寮从玫姆绞皆O(shè)計(jì)和組裝大量組件選項(xiàng)和模塊化控制單元,從而實(shí)現(xiàn)廣泛的應(yīng)用和在各種研發(fā)開(kāi)發(fā)現(xiàn)場(chǎng)的使用。我們將根據(jù)您的目的和預(yù)算提出的系統(tǒng)配置。
特征
機(jī)身緊湊,節(jié)省空間的設(shè)計(jì)
極限真空:5x10-5 帕斯卡
靈活的系統(tǒng),允許您按照所需的配置組合腔室、組件和控制器
操作簡(jiǎn)單:專用控制軟件“IntelliDep",直觀的操作讓任何人都可以操作。
配方控制(7英寸觸摸屏,或Windows PC操作):最多可注冊(cè)50個(gè)膠片配方
ML-GB手套箱薄膜實(shí)驗(yàn)設(shè)備
MiniLab-GB手套箱薄膜實(shí)驗(yàn)設(shè)備
氣相沉積、濺射和退火等操作可以在手套箱內(nèi)無(wú)縫執(zhí)行。
MiniLab-026和MiniLab-090的室與手套箱工作臺(tái)相連,控制架存放在工作臺(tái)下方。一種薄膜實(shí)驗(yàn)裝置,設(shè)計(jì)用于與手套箱連接。是將濺射、真空蒸鍍等成膜設(shè)備與手套箱安裝區(qū)域融為一體的節(jié)省空間的裝置。
在OLED(有機(jī)EL)、OPV(有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池)、OTFT(有機(jī)薄膜太陽(yáng)能電池)、石墨烯、TMD(過(guò)渡金屬二硫化物)等2D材料的沉積過(guò)程中,與氧氣和濕氣隔離. 樣品應(yīng)在惰性氣體氣氛中處理。
MiniLab-026/00-GB通過(guò)將PVD處理室容納在GB內(nèi),在緊湊且節(jié)省空間的環(huán)境中實(shí)現(xiàn)了有機(jī)薄膜實(shí)驗(yàn)的“無(wú)氧和水"環(huán)境。
特征
節(jié)省空間。沉積設(shè)備適合手套箱主體的尺寸。
成膜后的樣品不暴露在大氣中,可以在工作臺(tái)受控氣氛下進(jìn)行處理。
PVD成膜、旋涂、熱板烘烤等一系列操作可以在GB內(nèi)無(wú)縫進(jìn)行,無(wú)需暴露在外部空氣中。
nanoCVD-WGP晶圓級(jí)石墨烯合成裝置
晶圓級(jí)石墨烯合成器
晶圓尺寸兼容的熱 CVD/等離子體 CVD 設(shè)備
基材尺寸:Φ3英寸或Φ4英寸
nanoCVD-WG“CVD法"(化學(xué)氣相沉積)
CVD法是一種已經(jīng)確立的多用途且穩(wěn)定的技術(shù),也是考慮未來(lái)大規(guī)模合成石墨烯和CNT時(shí)最現(xiàn)實(shí)的方法。我來(lái)了。開(kāi)發(fā)商Moorfield Nanotechnology與英國(guó)國(guó)家研究院合作多次驗(yàn)證了這款沉積測(cè)試設(shè)備。在研究機(jī)構(gòu)的合作下,利用拉曼光譜、SEM、AFM等,已經(jīng)驗(yàn)證可以從分析數(shù)據(jù)創(chuàng)建高質(zhì)量的石墨烯和CNT樣品。
nanoCVD-WPG“等離子體增強(qiáng) CVD"
反應(yīng)速度快,雜質(zhì)被抑制。它是一種高速、高通量等離子體輔助清潔高質(zhì)量石墨烯的CVD合成方法。
特征
緊湊型設(shè)計(jì):590(寬)x 590(深)x 1050(高)mm
Φ3英寸或Φ4英寸晶圓級(jí)石墨烯合成
13.56MHz射頻150W等離子電源(標(biāo)配)
基板加熱階段Max1100℃
冷壁法熱CVD
全自動(dòng)PLC自動(dòng)順序控制
用戶友好的 7" 觸摸屏人機(jī)界面
多種沉積配方注冊(cè)/手動(dòng)/自動(dòng)操作
納米爐熱CVD設(shè)備
緊湊尺寸熱壁熱CVD
基材尺寸:Φ2.5英寸或Φ4英寸
納米爐模型。
[熱壁熱CVD設(shè)備]適合基礎(chǔ)研究的小型高性能CVD設(shè)備
石墨烯、碳納米管
氧化鋅納米線
SiO2等絕緣膜
此外,它還可作為熱壁熱 CVD 系統(tǒng)用于廣泛的應(yīng)用。